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真我gtneo3将采用居中打孔屏幕方案且四面边框极窄-九游官网首页进入

来源:it之家    发布时间:2022-03-21 01:54   阅读量:18057   

,realme 将于 3 月 22 日举行新品发布会,发布新机真我 gt neo3正面照显示,真我 gt neo3 将采用居中打孔屏幕方案,且四面边框极窄

真我gtneo3将采用居中打孔屏幕方案且四面边框极窄

据数码博主 数码闲聊站 爆料,真我 gt neo3 拥有较好的屏幕素质,成本相较于 gt neo2 的 e4 硬屏更高,采用柔性类钻排 10.7 亿色 逐片校准 cop 封装。

该博主透露,真我 gt neo3 拥有 1.48mm 边框与 2.37mm 下巴,搭载屏幕指纹,支持 dc 调光。

本站了解到,目前,真我 gt neo3 已确认搭载天玑 8100 独立显示芯片,为 realme 首款双芯旗舰,还配备满血版 lpddr5 ufs3.1。

根据此前信息,真我 gt neo3 将全球首发 150w 光速秒充,官方称 5 分钟充电 50%且支持 1600 次循环充放电。,今日下午,realme副总裁,中国区总裁,全球营销总裁徐起公布了真我gtneo3屏幕参数。。

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责任编辑:杜玉梅    

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